2N6661JTXP02
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2N6661JTXP02

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件封装
TO-39
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
5V, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
50 pF @ 25 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 1mA
等级
Military
漏极至源极电压 (Vdss)
90 V
认证
MIL-PRF-19500
最大功耗
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
860mA (Tc)