AMC3M0040120D
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AMC3M0040120D

分类:
-
制造商:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 15A TO-247
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES
价格:
$30.7

请求报价

库存 2340

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
最大功耗
500W (Tc)
最大栅源电压
±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA (Min)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
供应商器件封装
TO-247
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V, 20V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
25mOhm @ 5A, 20V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
45 nC @ 7 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3396 pF @ 50 V