AOK150V120X2
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AOK150V120X2

分类：
-
制造商：
描述：
1200V SILICON CARBIDE MOSFET
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$9.91

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-247-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
供应商器件封装
TO-247
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+15V, -5V
最大功耗
115W (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
195mOhm @ 3.9A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.6V @ 3.9mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28.3 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
664 pF @ 800 V