AONR21357
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AONR21357

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$1.19

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
70 nC @ 10 V
最大栅源电压
±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.3V @ 250µA
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-DFN-EP (3x3)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
7.8mOhm @ 20A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
21A (Ta), 34A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2830 pF @ 15 V
最大功耗
5W (Ta), 30W (Tc)