BS108/01,126
BS108/01,126
  • image of BS108/01,126
  • image of BS108/01,126

BS108/01,126

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
封装:
包装:
Tape & Box (TB)
RoHS:
YES

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
TO-92-3
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
最大功耗
1W (Ta)
封装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
120 pF @ 25 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.8V @ 1mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
2.8V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
5Ohm @ 100mA, 2.8V