BSC019N04LSATMA1
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BSC019N04LSATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$1.02

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
最大功耗
2.5W (Ta), 78W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.9mOhm @ 50A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2900 pF @ 20 V