CSD19538Q2R
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CSD19538Q2R

分类:
-
制造商:
描述:
100-V, N CHANNEL NEXFET POWER MO
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.34

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V, 10V
封装 / 外壳
6-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-WSON (2x2)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.8V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
59mOhm @ 5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
454 pF @ 50 V
最大功耗
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.6A (Ta), 13.1A (Tc)