CSD23202W10T
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CSD23202W10T

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.41

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库存 16656

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
最大功耗
1W (Ta)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
漏极至源极电压 (Vdss)
12 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
900mV @ 250µA
封装 / 外壳
4-UFBGA, DSBGA
供应商器件封装
4-DSBGA (1x1)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
1.5V, 4.5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.8 nC @ 4.5 V
最大栅源电压
-6V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
53mOhm @ 500mA, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
512 pF @ 6 V