DF80R12W2H3B11BOMA1
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DF80R12W2H3B11BOMA1

分类:
-
制造商:
描述:
IGBT MODULE
封装:
包装:
Bulk
RoHS:
YES
价格:
$39.31

请求报价

库存 1885

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规格
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
供应商器件封装
-
封装 / 外壳
Module
IGBT类型
-
集电极电流(Ic)(最大值)
50 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值)
1200 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
集电极截止电流(最大值)
1 mA
Input
Standard
NTC热敏电阻
Yes
最大功率
190 W
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 20A
配置
Dual Boost Chopper
输入电容(Cies)@ Vce
2.35 nF @ 25 V