DMN62D4LDW-13
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DMN62D4LDW-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.05

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
60V
封装 / 外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装
SOT-363
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
261mA (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3Ohm @ 200mA, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.04nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
41pF @ 30V
最大功率
330mW (Ta)