DMNH10H028SK3-13
DMNH10H028SK3-13
  • image of DMNH10H028SK3-13
  • image of DMNH10H028SK3-13

DMNH10H028SK3-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.77

请求报价

库存 1600

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
最大功耗
2W (Ta)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
55A (Tc)
供应商器件封装
TO-252-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
28mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.3V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2245 pF @ 50 V