DMT10H032LFDF-13
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DMT10H032LFDF-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.28

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
6A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
32mOhm @ 6A, 10V
封装 / 外壳
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装
U-DFN2020-6 (Type F)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11.9 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
683 pF @ 50 V