DMT34M1LPS-13
  • image of DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.9

请求报价

库存 3095

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大功耗
42W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
39 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
3.2mOhm @ 20A, 10V
供应商器件封装
PowerDI5060-8
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2242 pF @ 15 V