DMTH10H010LCT
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DMTH10H010LCT

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$2.17

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库存 1618

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.5V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
108A (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
9.5mOhm @ 13A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2592 pF @ 50 V
最大功耗
2.4W (Ta), 166W (Tc)