DMWSH120H43SM4
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DMWSH120H43SM4

分类:
-
制造商:
描述:
SICFET N-CH 1200V TO-247
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$18.7

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库存 1630

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
封装 / 外壳
TO-247-4
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
15V
最大功耗
341W (Tc)
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
供应商器件封装
TO-247-4
最大栅源电压
+19V, -8V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
43mOhm @ 40A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3.6V @ 11.5mA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
72.7A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2187 pF @ 1000 V