EJM60P240
  • image of EJM60P240

EJM60P240

分类：
-
制造商：
描述：
60V P-Channel Trench Power MOSFE
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES
价格：
$0.39

请求报价

库存 11600

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
Surface Mount
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
-
最大功耗
-
技术
-
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
-
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
30A
供应商器件封装
8-PDFN (3x3)