EPC2106
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EPC2106

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$2.93

请求报价

库存 35204

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管特性
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
最大功率
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
1.7A
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
漏极至源极电压 (Vdss)
100V
配置
2 N-Channel (Half Bridge)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 600µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
70mOhm @ 2A, 5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.73nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
75pF @ 50V