FCD360N65S3R0
FCD360N65S3R0
  • image of FCD360N65S3R0
  • image of FCD360N65S3R0

FCD360N65S3R0

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.67

请求报价

库存 3074

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
封装 / 外壳
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 1mA
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
供应商器件封装
TO-252 (DPAK)
最大功耗
83W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
360mOhm @ 5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
730 pF @ 400 V