FCP190N65S3
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FCP190N65S3

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$2.73

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库存 2280

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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商器件封装
TO-220-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
最大栅源电压
±30V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
33 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
最大功耗
144W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 1.7mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1350 pF @ 400 V