FDMD8900
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FDMD8900

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
配置
2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35nC @ 10V
最大功率
2.1W
封装 / 外壳
12-PowerWDFN
供应商器件封装
12-Power3.3x5
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
19A, 17A
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
4mOhm @ 19A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2605pF @ 15V