FDMS86350ET80
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FDMS86350ET80

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$8.23

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库存 7981

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.5V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
封装 / 外壳
8-PowerTDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
2.4mOhm @ 25A, 10V
供应商器件封装
8-PQFN (5x6)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
8V, 10V
最大功耗
3.3W (Ta), 187W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
25A (Ta), 198A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8030 pF @ 40 V