FDP3672
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FDP3672

分类：
-
制造商：
描述：
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
封装：
包装：
Bulk
RoHS：
YES
价格：
$1.22

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 250µA
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
37 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V, 10V
最大功耗
135W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1670 pF @ 25 V
漏极至源极电压 (Vdss)
105 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
33mOhm @ 41A, 10V