FP75R17N3E4B20BPSA1
  • image of FP75R17N3E4B20BPSA1

FP75R17N3E4B20BPSA1

分类：
-
制造商：
描述：
LOW POWER ECONO
封装：
包装：
Tray
RoHS：
YES
价格：
$132.59

请求报价

库存 1620

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
GTSM20N065
IGBT WITH SBD, 650V, 20A, SOT-22
CMSG120N013MDG
SIC MOSFET WITH IGBT,1200V,SOT-2
GTSM40N065D
IGBT WITH SBD, 650V, 40A, SOT-22
F3L400R10N3S7FC1BPSA1
Infineon Technologies
F3L400R10N3S7FC1BPSA1
F3L600R10N3S7FBPSA1
Infineon Technologies
F3L600R10N3S7FBPSA1
NXH600N105H7F5S1HG
onsemi
IGBT MODULE, I-TYPE NPC 1050 V,
NXH600N105L7F5S1HG
onsemi
IGBT MODULE, I-TYPE NPC 1050 V,
MIUZ100R12GJTL-BP
IGBT MODULES,GJ
MIF450R12E3TL-BP
IC
MIF600R12C2TL-BP
IGBT MOD 1200V 600A 3480W
规格
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
封装 / 外壳
Module
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
集电极截止电流（最大值）
1 mA
配置
Three Phase Inverter
电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值）
1700 V
Input
Three Phase Bridge Rectifier
NTC热敏电阻
Yes
集电极电流（Ic）（最大值）
150 A
IGBT类型
Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 75A
最大功率
555 W
输入电容（Cies）@ Vce
6.8 nF @ 25 V
供应商器件封装
AG-ECONO3