FQT4N20LTF
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FQT4N20LTF

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.96

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库存 5595

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规格
零件状态
Last Time Buy
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
200 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
5V, 10V
封装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223-4
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
310 pF @ 25 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
850mA (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
1.35Ohm @ 425mA, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
最大功耗
2.2W (Tc)