G200P04D3
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G200P04D3

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET P-CH 40V 20A DFN3*3-8L
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$0.17

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 250µA
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
4.5V, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
20A (Tc)
最大功耗
30W (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
54 nC @ 10 V
封装 / 外壳
8-PowerVDFN
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
16mOhm @ 5A, 10V
供应商器件封装
8-DFN (3.15x3.05)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2662 pF @ -20 V