G2312
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G2312

分类:
-
制造商:
-
描述:
N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$0.41

请求报价

库存 2683

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1V @ 250µA
漏极至源极电压 (Vdss)
20 V
最大栅源电压
±12V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
2.5V, 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
830 pF @ 10 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
最大功耗
1.25W (Tc)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
17mOhm @ 3A, 4.5V