GCMS020B120S1-E1
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GCMS020B120S1-E1

分类:
-
制造商:
-
描述:
SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES
价格:
$41.8

请求报价

库存 1601

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规格
零件状态
Active
安装类型
Chassis Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
封装 / 外壳
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
20V
最大功耗
395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 20mA
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压
+25V, -10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
113A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
215 nC @ 20 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
28mOhm @ 50A, 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5279 pF @ 1000 V