GPI65005DF
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GPI65005DF

分类:
-
制造商:
-
描述:
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES
价格:
$2.75

请求报价

库存 1737

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.4V @ 1.75mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2.6 nC @ 6 V
最大栅源电压
+7.5V, -12V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
45 pF @ 400 V