GS66516BTRXUMA1
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GS66516BTRXUMA1

分类：
-
制造商：
描述：
GS66516B-TR
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES
价格：
$26.08

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Last Time Buy
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
-
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
封装 / 外壳
Die
供应商器件封装
Die
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V
最大栅源电压
+7V, -10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
1.3V @ 14mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12.1 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
520 pF @ 400 V