GSFL65R900
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GSFL65R900

分类:
-
制造商:
-
描述:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.38

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库存 4516

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4V @ 250µA
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗
20W (Tc)
封装 / 外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A (Tc)
最大栅源电压
±30V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13 nC @ 10 V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
900mOhm @ 2.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
300 pF @ 100 V