H7N1002LS-E
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H7N1002LS-E

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
-
工作温度
150°C (TJ)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
155 nC @ 10 V
最大功耗
100W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
75A (Ta)
供应商器件封装
LDPAK
封装 / 外壳
SC-83
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
10mOhm @ 37.5A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9700 pF @ 10 V