HS8MA2TCR1
  • image of HS8MA2TCR1

HS8MA2TCR1

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 5A 9DFN
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$1.61

请求报价

库存 2287

对价格不满意?请在下方填写信息快速发送 RFQ,我们将立即回应

规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
2.5V @ 1mA
配置
N and P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)
30V
封装 / 外壳
8-PowerWDFN
最大功率
2W (Ta)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
5A (Ta), 7A (Ta)
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
供应商器件封装
DFN3333-9DC