HTMN5130SSD-13
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HTMN5130SSD-13

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
封装:
包装:
Tape & Reel (TR)
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
配置
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
3V @ 250µA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
130mOhm @ 3A, 10V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.6A
漏极至源极电压 (Vdss)
55V
最大功率
1.7W
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
218.7pF @ 25V