IAUCN08S7N019TATMA1
IAUCN08S7N019TATMA1
  • image of IAUCN08S7N019TATMA1
  • image of IAUCN08S7N019TATMA1

IAUCN08S7N019TATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET_(75V 120V(
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$4.6

请求报价

库存 7600

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
最大功耗
180W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
7V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
88 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
80 V
封装 / 外壳
10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
供应商器件封装
PG-LHDSO-10-2
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
175A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.94mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.2V @ 93.4µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6061 pF @ 40 V