IMCQ120R026M2HXTMA1
  • image of IMCQ120R026M2HXTMA1

IMCQ120R026M2HXTMA1

分类：
-
制造商：
描述：
SIC DISCRETE
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$15.02

请求报价

库存 2286

对价格不满意？请在下方填写信息快速发送 RFQ，我们将立即回应

相似型号
TW048U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.048 (T
TW027U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.027 (T
TW083U65C,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.083 (T
CDMS24760-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24740-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24780-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
CDMS24720-170 SL
1700V THROUGH-HOLE MOSFET N-CHAN
SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
82A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
1200 V
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
最大功耗
405W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
15V, 18V
最大栅源电压
+23V, -7V
封装 / 外壳
22-PowerBSOP Module
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
5.1V @ 8.6mA
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-3
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
25.4mOhm @ 27A, 18V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
63.4 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2540 pF @ 800 V