IPB110N06L G
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IPB110N06L G

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
79 nC @ 10 V
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
78A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
11mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2V @ 94µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2700 pF @ 30 V