IPB240N03S4LR8ATMA1
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IPB240N03S4LR8ATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
30 V
最大功耗
300W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
380 nC @ 10 V
最大栅源电压
±16V
封装 / 外壳
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.2V @ 230µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
26000 pF @ 25 V
供应商器件封装
PG-TO263-7-3
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
240A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
0.76mOhm @ 100A, 10V