IPB60R280P7ATMA1
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IPB60R280P7ATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$2.67

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18 nC @ 10 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
最大功耗
53W (Tc)
供应商器件封装
PG-TO263-3
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 190µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
761 pF @ 400 V