IPB65R125C7ATMA1
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分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Discontinued at
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
35 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
18A (Ta)
供应商器件封装
PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 440µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1670 pF @ 400 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
125mOhm @ 8.9A, 10V
最大功耗
101W (Tc)