IPB80N06S2H5ATMA2
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IPB80N06S2H5ATMA2

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$4.05

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
最大功耗
300W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4400 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
155 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
55 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
80A (Tc)
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 230µA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
5.2mOhm @ 80A, 10V