IPDQ60R016CM8XTMA1
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IPDQ60R016CM8XTMA1

分类：
-
制造商：
描述：
IPDQ60R016CM8XTMA1
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$12.5

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SL3134K
Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
AM4N65P
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
最大功耗
625W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
135A (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
171 nC @ 10 V
封装 / 外壳
22-PowerBSOP Module
供应商器件封装
PG-HDSOP-22
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
16mOhm @ 62.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.7V @ 1.48mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7545 pF @ 400 V