IPT007N06NATMA1
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IPT007N06NATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$6.72

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V, 10V
最大功耗
375W (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
16000 pF @ 30 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
300A (Tc)
供应商器件封装
PG-HSOF-8-1
封装 / 外壳
8-PowerSFN
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.3V @ 280µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
287 nC @ 10 V