IPT65R018CM8XTMA1
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IPT65R018CM8XTMA1

分类:
-
制造商:
描述:
IPT65R018CM8XTMA1
封装:
包装:
Cut Tape (CT)
RoHS:
YES
价格:
$12.6

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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻)
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
173 nC @ 10 V
最大功耗
694W (Tc)
封装 / 外壳
8-PowerSFN
供应商器件封装
PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
4.7V @ 1.48mA
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
18mOhm @ 55.6A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8290 pF @ 400 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
134A (Tc)