IPU60R1K0CEBKMA1
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IPU60R1K0CEBKMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Discontinued at
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1Ohm @ 1.5A, 10V
漏极至源极电压 (Vdss)
600 V
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
最大功耗
37W (Tc)
封装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.5V @ 130µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
280 pF @ 100 V
供应商器件封装
TO-251