IPWS65R050CFD7AXKSA1
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IPWS65R050CFD7AXKSA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$10.3

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
Automotive
认证
AEC-Q101
封装 / 外壳
TO-247-3
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
45A (Tc)
最大功耗
227W (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
102 nC @ 10 V
供应商器件封装
PG-TO247-3-41
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4.5V @ 1.24mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4975 pF @ 400 V