IPZ65R065C7XKSA1
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IPZ65R065C7XKSA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES
价格：
$6.8

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
20V 750MA 150MW 1 N-CHANNEL SOT-
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MOSFET N-CH 650V 4A TO-220
AMB481P
MOSFET P-CH 80V 3.1A DFN1.6X1.6
规格
安装类型
Through Hole
零件状态
Active
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
10V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
33A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
64 nC @ 10 V
最大功耗
171W (Tc)
封装 / 外壳
TO-247-4
供应商器件封装
PG-TO247-4
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
65mOhm @ 17.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
4V @ 850µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3020 pF @ 400 V