IQDH88N06LM5CGATMA1
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IQDH88N06LM5CGATMA1

分类：
-
制造商：
描述：
TRENCH 40<-<100V
封装：
包装：
Cut Tape (CT)
RoHS：
YES
价格：
$4.35

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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AMB481P
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规格
零件状态
Active
安装类型
Surface Mount
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
漏极至源极电压 (Vdss)
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
152 nC @ 10 V
封装 / 外壳
9-PowerTDFN
最大功耗
3W (Ta), 333W (Tc)
供应商器件封装
PG-TTFN-9-U02
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
42A (Ta), 447A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
0.86mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
2.3V @ 163µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
14000 pF @ 30 V