IRF100P219XKMA1
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IRF100P219XKMA1

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET N-CH 100V TO247AC
封装：
包装：
Tube
RoHS：
YES

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Through Hole
场效应晶体管类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
100 V
最大栅源电压
±20V
场效应晶体管特性
-
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级
-
认证
-
供应商器件封装
TO-247AC
封装 / 外壳
TO-247-3
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
270 nC @ 10 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
6V, 10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
1.7mOhm @ 100A, 10V
最大功耗
341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3.8V @ 278µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
203A (Tc)
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
12020 pF @ 50 V