IRF5803D2TR
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IRF5803D2TR

分类：
-
制造商：
描述：
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO
封装：
包装：
Tape & Reel (TR)
RoHS：
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
封装 / 外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压
±20V
等级
-
认证
-
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应晶体管类型
P-Channel
最大功耗
2W (Ta)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流
3V @ 250µA
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
场效应晶体管特性
Schottky Diode (Isolated)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
37 nC @ 10 V
漏极至源极电压 (Vdss)
40 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压
112mOhm @ 3.4A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1110 pF @ 25 V