IRF5852
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IRF5852

分类:
-
制造商:
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
封装:
包装:
Tube
RoHS:
YES

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规格
零件状态
Obsolete
安装类型
Surface Mount
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏极至源极电压 (Vdss)
20V
配置
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
封装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
6nC @ 4.5V
最大功率
960mW
供应商器件封装
6-TSOP
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流
1.25V @ 250µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
400pF @ 15V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C
2.7A